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金属氧化场效应晶体管
中低压 MOSFET
中压 P-ch (-100V ~ -40V)

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P 沟道 MOSFET 接纳空穴作为载流子,,,,,需要栅极到源极的负电才华导通。。。。 。 。因此,,,,,它是高边开关的优先选择;;;;;并且栅极驱动简朴,,,,,可降低整体终端本钱。。。。 。 。优德88俱乐部中文官网 提供以下列内外的中压 P 沟道 MOSFETs 予电路设计工程师选用。。。。 。 。

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